GSR065E060是一款汽车级 650 V 增强型硅基氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性允许高电流、高电压和高开关频率。GaN Systems 通过行业领先的进步进行创新，例如获得专利的 Island Technology® 和 GaNPX® 封装。 Island Technology® 单元布局实现大电流裸片和高良率。 GaNPX® 封装可在小型封装中实现低电感和低热阻。GSR065E060B是一款底部冷却晶体管，可为要求苛刻的大功率应用提供极低的结壳热阻。 这些特性结合起来提供了非常高效率的电源开关。
产品介绍
应用
产品优点
GSR065E060是一款汽车级 650 V 增强型硅基氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性允许高电流、高电压和高开关频率。GaN Systems 通过行业领先的进步进行创新，例如获得专利的 Island Technology® 和 GaNPX® 封装。 Island Technology® 单元布局实现大电流裸片和高良率。 GaNPX® 封装可在小型封装中实现低电感和低热阻。GSR065E060B是一款底部冷却晶体管，可为要求苛刻的大功率应用提供极低的结壳热阻。 这些特性结合起来提供了非常高效率的电源开关。
绝对最大额定值 (Tcase= 25 °C 除非另有说明)
| Parameter | Symbol | Value | Unit |
| Operating Junction Temperature | TJ | -55 to +150 | °C |
| Storage Temperature Range | TS | -55 to +150 | °C |
| Drain-to-Source Voltage | VDS | 650 | V |
| Transient Drain-to-Source Voltage (Note 1) | VDS(transient) | 900 | V |
| Gate-to-Source Voltage | VGS | -10 to + 7 | V |
| Gate-to-Source Voltage - transient (Note 1) | VGS(transient) | -20 to +10 | V |
| ContinuousDrain Current (Tcase= 25 °C) | IDS | 60 | A |
| ContinuousDrain Current (Tcase= 100 °C) | IDS | 41 | A |
| Pulse Drain Current (Pulse width 10 µs, VGS = 6 V) (Note2) | IDS Pulse | 120 | A |
热特性 (典型值，除非另有说明)
| Parameter | Symbol | Value | Units |
| Thermal Resistance (junction-to-case) – bottom side | RΘJC | 0.35 | °C /W |
| Maximum Soldering Temperature (MSL3 rated) | TSOLD | 260 | °C |
电气特性 ( TJ = 25 °C, VGS = 6 V 除非另有说明)
| Parameters | Sym. | Min. | Typ. | Max. | Units | Conditions |
| Drain-to-Source Blocking Voltage | V(BL)DSS | 650 | V | VGS = 0 V, IDSS ≤ 120 µA | ||
| Drain-to-Source On Resistance | RDS(on) | 25 | 32 | mΩ | VGS = 6 V, TJ = 25 °C IDS = 18 A | |
| Drain-to-Source On Resistance | RDS(on) | 65 | mΩ | VGS = 6 V, TJ = 150 °C IDS = 18 A | ||
| Gate-to-Source Threshold | VGS(th) | 1.1 | 1.7 | 2.6 | V | VDS = VGS, IDS = 16.4mA |
| Gate-to-Source Current | IGS | 320 | µA | VGS = 6 V, VDS = 0 V | ||
| Gate Plateau Voltage | Vplat | 3 | V | VDS = 400 V, IDS = 60 A | ||
| Drain-to-Source LeakageCurrent | IDSS | 4 | 120 | µA | VDS =650 V, VGS =0 V TJ = 25 °C | |
| Drain-to-Source LeakageCurrent | IDSS | 160 | µA | VDS =650 V, VGS =0 V TJ = 150 °C | ||
| Internal GateResistance | RG | 1 | Ω | f = 5 MHz, open drain | ||
| Input Capacitance | CISS | 516 | pF | VDS = 400 V VGS =0 V f = 100kHz | ||
| Output Capacitance | COSS | 127 | pF | |||
| Reverse Transfer Capacitance | CRSS | 2.4 | pF | |||
| Effective Output Capacitance Energy Related (Note3) | CO(ER) | 212 | pF |
VGS = 0 V VDS = 0 to 400V | ||
| Effective Output Capacitance Time Related (Note4) | CO(TR) | 338 | pF | |||
| Total GateCharge | QG | 14 | nC |
VGS = 0 to 6 V VDS =400 V | ||
| Gate-to-Source Charge | QGS | 3.8 | nC | |||
| Gate-to-Drain Charge | QGD | 4.1 | nC | |||
| Output Charge | QOSS | 135 | nC | VGS = 0 V, VDS = 400 V | ||
| Reverse Recovery Charge | QRR | 0 | nC |
电气特性（ TJ = 25 °C, VGS = 6 V 除非另有说明）
| Parameters | Sym. | Min. | Typ. | Max. | Units | Conditions |
| Turn-On Delay | tD(on) | 8.1 | ns |
VDD =400 V, VGS =+6 V/-3 V IDS = 20 A, RG(on) = 10 Ω, RG(off) = 2 Ω, L = 65 µH, LP = 4 nH (Notes 5,6,7) | ||
| Rise Time | tR | 8.5 | ns | |||
| Turn-Off Delay | tD(off) | 9.8 | ns | |||
| Fall Time | tF | 7.7 | ns | |||
| Switching Energyduring turn-on | Eon | 117 | µJ | |||
| Switching Energyduring turn-off | Eoff | 17.2 | µJ | |||
| Output Capacitance StoredEnergy | EOSS | 17 | µJ | VDS = 400V VGS = 0 V, f = 100kHz |
| 文件名称 | 版本 | 描述 | 下载 |
|---|---|---|---|
| GSR065E060B-datasheet-CN | V1.0 | 中文参数说明文档. | 下载 |
江苏镓宏半导体有限公司
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年，项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件，以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物， 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品，充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势，汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源，组织筹建新型的IDM产品平台，助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。
