封装 | 型号 | 耐压(V) | 电阻值典型(mΩ) | 电流(A)/室温下 | 阈值 | 用途 |
---|---|---|---|---|---|---|
GSR065E030 | 650 | 50 | 5.5 | 0-6 | 各类充电,电源产品。 | |
GSR065D25 | 650 | 85 | 25 | 20 | 小功率充电产品。 | |
GSR065D200A | 650 | 18 | 80 | 6 | 大功率电路。 | |
GSR065D095A | 650 | 18 | 95 | 20 | 中功率电路。 | |
GSR065D013A | 650 | 150 | 13 | 20 | 小功率电路。 | |
GSR065E011B | 650 | 150 | 11 | 7 | 小功率电路 | |
GSR065D100 | 650 | 22 | 100 | 6 | 大功率电路。 | |
GSR900D035 | 900 | 50 | 34 | 20 | 中功率电路。 | |
GSR065D34A | 650 | 50 | 34 | 20 | 小功率电路。 | |
GSR065E060B | 650 | 25 | 60 | 6 | 中功率电路 |
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年,项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件,以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物, 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品,充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势,汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源,组织筹建新型的IDM产品平台,助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。