中文
Eng
2026-05-29

GH006- BULK电容的设计计算

Bulk电容一般指整流后直流母线上的大容量电解电容(市电AC→整流桥→Bulk电容→后级变换器),也...

  • Bulk电容的设计计算,以及稳压储能、补瞬时大电流、续流防掉压、滤波抗干扰、提供掉电保持。
  • 设计缺陷有容量不当、ESR
  • 偏高、纹波电流不足、耐压偏低。
  • 设计关键点为按功率选容量、优先低
  • ESR、高纹波电流400V
  • 级电解,多颗并联的要点
2026-05-29

GH005-损耗设计

开关电源损耗构成(反激/正激/LLC等通用,按原边、副边、辅助、其他分类,附成因与降损要点)整体分为...

  • 开关电源损耗构成(反激
  • /
  • 正激
  • /
  • LLC
  • 等通用,按原边、副边、辅助、其他分类,附成因与降损要点)整体分为导通损耗、开关损耗、磁件损耗、二极管损耗、阻性损耗、控制
2026-05-29

GH004-GaN参数详解及应用

VDSS、VGSS、VGS(th)、ID、IDM、、RΘJC、RΘJA、IGSS、IDSS、RDS(...

  • GaN参数详解及应用,对关键参数如VDSS
  • 、VGSS、VGS(th)
  • 、ID
  • 、IDM、、RΘJC、RΘJA、IGSS
  • 、IDSS、RDS(ON)、Ciss
2026-05-08

GH003-磁学理论基础

1、基础定律:法拉第电磁感应定律、楞次定律、安培环路定律、磁路基尔霍夫定律2、磁路关键参数:磁动势、...

  • 1、基础定律:法拉第电磁感应定律、楞次定律、安培环路定律、磁路基尔霍夫定律
  • 2、磁路关键参数:磁动势、磁通量、磁阻、磁场强度、饱和磁通密度,磁导率
  • 3、磁场各参数的基本关系
2026-05-08

GH002-热设计

1、热阻的定义2、热阻模型3、散热接触面填充4、导热材料选择及应用5、盘上孔散热6、PCB散热设计

  • 1、热阻的定义
  • 2、热阻模型
  • 3、散热接触面填充
1 2 >
江苏镓宏半导体有限公司

江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年,项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件,以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物, 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品,充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势,汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源,组织筹建新型的IDM产品平台,助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。

关注我们

Copyright © 2023 江苏镓宏半导体有限公司.版权所有 |

苏公网安备 32039102000462号

| 苏ICP备2022007342号